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小池 雅人; 山嵜 孝*; 原田 善寿*
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101-103, p.913 - 918, 1999/00
被引用回数：20 パーセンタイル：66.59(Spectroscopy)軟X線レーザ、及び同プラズマ光源の研究において広く用いられている平面結像型斜入射球面回折格子分光器に用いるホログラフィック回折格子を非球面波露光法を仮定して設計した例について述べる。非球面波露光法では、干渉波面として、平面波、球面波を高精度な鏡面が製作できる球面鏡などに反射させて得られる非球面波を用いる。この場合、設計上の自由度は飛躍的に増加し、溝本数の変化必要量が約16%と、従来機械切りの不等間隔溝回折格子のみが実現できるとされていた領域の回折格子もホログラフィック法で実現できることを明らかにした。この結果、ホログラフィック法のみで製作可能なラミナ型の溝形状をもつ回折格子を作ることにより、分解能、迷光、高次光除去の要求を同時に満たすことが実現可能となった。このほか、Kirkpatrick-Baezタイプの非点収差補正用の鏡の挿入によるスループットの改善の可能性についても述べる。
Al
, studied by resonant and X-ray photoelectron spectroscopy藤森 伸一; 斎藤 安治*; 関 雅晴*; 田村 好司*; 水田 宗徳*; 山木 健一郎*; 佐藤 健*; 岡根 哲夫; 田中 順章*; 佐藤 憲昭*; et al.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101-103, p.439 - 442, 1999/00
被引用回数：4 パーセンタイル：22.57(Spectroscopy)UPdAlにおけるU5f電子状態を調べるために、UPdAlに対するX線光電子分光実験及びU
La
PdAlに対する共鳴光電子分光実験を行い、得られたスペクトルとバンド計算結果の比較を行った。X線光電子スペクトルでは、特にフェルミ準位付近の構造がバンド計算によって良く再現されており、スペクトルを理解する上において、バンド計算が良い出発点であることが示された。一方の共鳴光電子スペクトルは、実験と計算でスペクトル構造が全く異なっており、さらにウラン原子をランタン原子によって置換を行ったULaPdAlにおいても、スペクトル構造には変化が見られなかった。これらの実験結果は、共鳴光電子スペクトルがU5f電子の局在的な情報を反映しており、一方のX線光電子スペクトルはU5f電子の遍歴的な性質を反映していることを示している。
奥出 進也*; 名越 正泰*; 野呂 寿人*; 馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101-103, p.607 - 610, 1999/00
被引用回数：64 パーセンタイル：92.58(Spectroscopy)X線吸収端微細構造(XANES)スペクトルの測定により、3d遷移金属のリン酸塩及び硫酸塩の電子構造を明らかにした。主な結果は、(1)XANESスペクトルにおけるpre-edgeピーク強度は遷移金属の3d電子数の増加に伴い減少する。(2)P 3p及びS 3pから成る非占軌道への励起に起因する主ピークは3d電子数の増加に伴い低エネルギー側にシフトする。以上の結果からP 3p及びS 3p軌道が、遷移金属の3d軌道と強く混成していることが明らかになった。また、遷移金属とP,S原子間に酸素原子が存在するにもかかわらず、P及びS原子のXANES測定が非占軌道の電子構造解析に有効であることを明らかにした。
浅野 芳裕; 笹本 宣雄
Radiation Physics and Chemistry, 44(1-2), p.133 - 137, 1994/00
被引用回数：16 パーセンタイル：78.48(Chemistry, Physical)大型放射光施設ビームライン遮蔽安全設計のための計算コードを開発した。このコードは、BNLのPhotonコードを基に、光源としてアンジュレータも考慮できるようになっている。光子の散乱現象においても、偏極による影響、角度分布がコヒーレント、インコヒーレント散乱過程で考慮することができる。また線量当量計算も、ヒルドアップ効果とともに考慮することができる。このコードを用いてSPring-8施設ビームラインの概念設計を行うとともに、他のコード(モンテカルロ計算コード)との比較計算、および文部省高エネルギー物理学研究所放射光施設ビームライン14Cを用いたベンチマーク実験の結果についても発表を行う。
岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫; 仁平 猛*; 佐々木 茂美
Mater. Sci. Forum, 97-99, p.605 - 614, 1992/00
FCC金属(Al,Cu,Ag,Ni,Pt)を0.5-126MeVの各種イオンで10K以下において照射し、300Kまでのアニール実験を行った。低エネルギーイオン(≦1MeV)照射の場合は、いづれの金属においても、ステージIにおける照射欠陥回復量はPKAエネルギーによってよくスケールされる。一方、高エネルギーイオン(~100MeV)照射したNi,Ptでは、ステージIの著しい減少、あるいは消失が起こり、さらにこの現象は電子的阻止能と大きく関連している。Cu,Agではこのような異常は見られない。以上の結果は次のように説明できる;Ni,Ptの場合、高エネルギイオン照射によって高密度励起された電子のエネルギーが強い電子-格子相互作用を通じて格子系に伝達され、ステージI欠陥の消滅をもたらす。一方、Cu,Agでは電子-格子相互作用が弱いため、照射中のステージI欠陥の消滅は専ら弾性的相互作用によって支配される。
